Infineon BSP613PL6327

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

-60 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

26 ns

Package

Bulk

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP613PL6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.66

Drain Current-Max (ID)

2.9 A

系列

*

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1.8 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

额定电流

-2.9 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.7 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

9 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.9 A

阈值电压

-3 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.9 A

漏极-源极导通最大电阻

0.13 Ω

漏源击穿电压

60 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

11.6 A

输入电容

875 pF

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

漏源电阻

130 mΩ

最大rds

130 mΩ

栅源电压

-3 V

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅