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Infineon BSP89L6327XT

Name: BSP89L6327XT
Brand: Infineon
SKU: 1211-BSP89L6327XT
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BSP89L6327XT

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSP89L6327XT

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP89L6327XT Infineon Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP89L6327XT详情

技术参数

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Infineon BSP89L6327XT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
引脚数

4
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
RoHS

Compliant
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

40
Manufacturer Part Number

BSP89L6327XT
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank

5.65
Drain Current-Max (ID)

0.35 A
JESD-609代码

e3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

哑光锡
附加功能

逻辑电平兼容
HTS代码

8541.29.00.75
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
Reach合规守则

unknown
引脚数量

4
JESD-30代码

R-PDSO-G4
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.4 A
DS 击穿电压-最小值

240 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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