Infineon BSP92P

触点镀层

Gold

底架

自由悬挂

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

600 V

Contact Materials

Brass

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP92P

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

Infineon BSP92P P-channel MOSFET Transistor, 0.26 A, -250 V, 4-Pin SOT-223

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.27

Part Package Code

SOT-223

Drain Current-Max (ID)

0.26 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

Solder

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Plug

定位的数量

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

115 °C

最小工作温度

-40 °C

颜色

Black

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.75

紧固类型

Bayonet

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

方向

Straight

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

23 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

触点性别

Female

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

线规（最大值）

12 AWG

线规（最小值）

14 AWG

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.26 A

漏极-源极导通最大电阻

12 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.04 A

DS 击穿电压-最小值

250 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

长度

39.9 mm

评级结果

IP67