Infineon BSP92PL6327

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-SOT223-4-21

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

-250 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

67 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

260mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP92PL6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.27

Drain Current-Max (ID)

0.26 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

SIPMOS®

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1.8 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

额定电流

-260 mA

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12Ohm @ 260mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 130µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

104 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.4 nC @ 10 V

上升时间

6 ns

漏源电压 (Vdss)

250 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

260 mA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.26 A

漏极-源极导通最大电阻

12 Ω

漏源击穿电压

250 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.04 A

输入电容

104 pF

DS 击穿电压-最小值

250 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

场效应管特性

-

漏源电阻

12 Ω

最大rds

12 Ω

栅源电压

-1.5 V

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅