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技术文档
型号
BSR202N
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSR202N
商品类别
无类别的
封装
4-SMD, No Lead
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BSR202N datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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BSR202N详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSR202N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.67
Part Package Code
SC-59
Drain Current-Max (ID)
3.1 A
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SXT324
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
类型
兆赫晶体
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
频率
12 MHz
频率稳定性
±30ppm
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
ESR(等效串联电阻)
100 Ohms
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
负载电容
18pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±25ppm
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.021 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
15.2 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
雪崩能量等级(Eas)
30 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
座位高度(最大)
0.031 (0.80mm)
技术文档: Infineon BSR202N.
BSR202N拓展信息
公司资质
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