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技术文档
型号
BSS100E6325
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSS100E6325
商品类别
无类别的
封装
0805 (2012 Metric)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
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BSS100E6325详情
技术参数
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Infineon BSS100E6325重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
表面安装
NO
供应商器件包装
0805
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
RN732A
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
Obsolete
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.08
Part Package Code
TO-92
Drain Current-Max (ID)
0.22 A
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
RN73
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
容差
±0.25%
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±10ppm/°C
电阻
1.37 kOhms
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.1W, 1/10W
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
漏极-源极导通最大电阻
10 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
6 pF
特征
Moisture Resistant
座位高度(最大)
0.024 (0.60mm)
技术文档: Infineon BSS100E6325.
BSS100E6325拓展信息
公司资质
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