注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
BSS110E6325
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSS110E6325
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
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BSS110E6325详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSS110E6325重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
0.17 A
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Manufacturer Part Number
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Part Life Cycle Code
Obsolete
Part Package Code
TO-92
Risk Rank
5.29
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
漏极-源极导通最大电阻
10 Ω
DS 击穿电压-最小值
50 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
12 pF
技术文档: Infineon BSS110E6325.
BSS110E6325拓展信息
公司资质
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