BSS119L6327详情
Infineon BSS119L6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
0.17 A
Risk Rank
5.08
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
BSS119L6327
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Style
小概要
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.17 A
漏极-源极导通最大电阻
6 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.36 W
反馈上限-最大值 (Crss)
4.1 pF
达到SVHC
compliant
BSS119L6327拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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