Infineon BSS119 L6433

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

PG-SOT23

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

360mW (Ta)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.3V @ 50µA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSS119L6433

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

7.85

Drain Current-Max (ID)

0.17 A

系列

*

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

78 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.5 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.17 A

漏极-源极导通最大电阻

6 Ω

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

4.1 pF

达到SVHC

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