Infineon BSS123L6327

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

9.9 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSS123L6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.53

Drain Current-Max (ID)

0.17 A

包装

切割胶带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

360 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

170 mA

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

360 mW

接通延迟时间

2.7 ns

上升时间

3.1 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

170 mA

阈值电压

1.4 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.17 A

漏极-源极导通最大电阻

6 Ω

漏源击穿电压

100 V

输入电容

69 pF

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

最大结点温度（Tj）

150 °C

漏源电阻

3 Ω

最大rds

6 Ω

栅源电压

1.4 V

反馈上限-最大值 (Crss)

6.3 pF

高度

1.1 mm

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅