Infineon BSS138NH6433

包装/外壳

SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60 V

Typical Turn-On Delay Time

2.3 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V

Pd - Power Dissipation

360 mW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.000282 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

100 mS

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

BSS138NH6433XT SP000924060 BSS138NH6433XTMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

1 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

2.2 Ohms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

6.7 ns

Id - Continuous Drain Current

230 mA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSS138NH6433

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.03

Drain Current-Max (ID)

0.23 A

系列

BSS138

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

上升时间

3 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.23 A

漏极-源极导通最大电阻

3.5 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

反馈上限-最大值 (Crss)

3.8 pF

产品类别

MOSFET

宽度

1.3 mm

高度

1.1 mm

长度

2.9 mm

达到SVHC

compliant