Infineon BSS169L6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

PG-SOT23-3-5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

360mW (Ta)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.8V @ 50µA

Package Description

GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSS169L6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.14

Drain Current-Max (ID)

0.17 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

SIPMOS®

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

DEPLETION MODE

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.9Ohm @ 190mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

68 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.8 nC @ 7 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.17 A

漏极-源极导通最大电阻

6 Ω

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

场效应管特性

耗尽模式

反馈上限-最大值 (Crss)

7 pF

达到SVHC

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