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技术文档
型号
BSS205N L6327
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSS205N L6327
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
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BSS205N L6327详情
技术参数
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Infineon BSS205N L6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Rectangular, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSS205NL6327
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.34
Drain Current-Max (ID)
2.5 A
系列
pushPIN™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
顶部安装
端子表面处理
哑光锡
附加功能
雪崩 额定
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.230 (5.84mm)
强制空气流动时的热阻
25.33°C/W @ 100 LFM
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.05 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
自然环境下的热阻
反馈上限-最大值 (Crss)
24 pF
温度上升时的耗散功率
宽度
1.450 (36.83mm)
长度
2.280 (57.90mm)
直径
达到SVHC
compliant
技术文档: Infineon BSS205N L6327.
BSS205N L6327拓展信息
公司资质
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