Infineon BSS225H6327

包装/外壳

SOT-89-3

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Typical Turn-On Delay Time

14 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.9 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.004603 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

50 mS

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP001047644 BSS225H6327FTSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

5.8 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

28 Ohms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

62 ns

Id - Continuous Drain Current

90 mA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Drain Current-Max (ID)

0.09 A

Risk Rank

5.66

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

BSS225H6327

Rohs Code

有

系列

BSS225

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-F3

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

上升时间

38 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

漏极-源极导通最大电阻

45 Ω

DS 击穿电压-最小值

600 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

4.4 pF

产品类别

MOSFET

宽度

2.5 mm

高度

1.5 mm

长度

4.5 mm

达到SVHC

compliant

无铅

无铅