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技术文档
型号
BSS295E6325
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSS295E6325
商品类别
无类别的
封装
Axial
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
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BSS295E6325详情
技术参数
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Infineon BSS295E6325重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
表面安装
NO
供应商器件包装
--
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.18
Part Package Code
TO-92
Drain Current-Max (ID)
1.4 A
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
MBA/SMA 0204 - Professional
包装
Tape & Box (TB)
尺寸/尺寸
0.063 Dia x 0.142 L (1.60mm x 3.60mm)
容差
±1%
零件状态
活跃
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±50ppm/°C
电阻
86.6 kOhms
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.4W
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
失败率
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
漏极-源极导通最大电阻
0.5 Ω
DS 击穿电压-最小值
50 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
75 pF
特征
Automotive AEC-Q200
座位高度(最大)
技术文档: Infineon BSS295E6325.
BSS295E6325拓展信息
公司资质
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