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技术文档
型号
BSS316N L6327
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSS316N L6327
商品类别
无类别的
封装
48-LQFP
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
起订量
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BSS316N L6327详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSS316N L6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
48-LFQFP (7x7)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Product Status
活跃
Number of I/Os
38
Package
Tray
Base Product Number
R5F10
厂商
Renesas Electronics America Inc
Data Converters
A/D 17x10b SAR
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSS316NL6327
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.34
Drain Current-Max (ID)
1.4 A
操作温度
-40°C ~ 105°C (TA)
系列
RL78/F13
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
雪崩 额定
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
振荡器类型
Internal
速度
32MHz
内存大小
8K x 8
操作模式
增强型MOSFET
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
2.7V ~ 5.5V
核心处理器
RL78
周边设备
LVD, POR, PWM, WDT
程序存储器类型
FLASH
芯尺寸
16-Bit
程序内存大小
128KB (128K x 8)
连接方式
CSI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART
极性/通道类型
N-CHANNEL
EEPROM 大小
4K x 8
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.16 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
反馈上限-最大值 (Crss)
7 pF
达到SVHC
compliant
技术文档: Infineon BSS316N L6327.
BSS316N L6327拓展信息
公司资质
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