Infineon BSS606N H6327 TR

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

BSS606NH6327TR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.69

Drain Current-Max (ID)

3.2 A

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-F3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

15.3 pF

达到SVHC

compliant