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技术文档
型号
BSS606N H6327 TR
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSS606N H6327 TR
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Trans Mosfet N-ch 60V 3.2A 4-PIN SOT-89 T/r
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BSS606N H6327 TR详情
技术参数
Infineon BSS606N H6327 TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
BSS606NH6327TR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.69
Drain Current-Max (ID)
3.2 A
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-F3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.06 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
15.3 pF
达到SVHC
compliant
BSS606N H6327 TR拓展信息
公司资质
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