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技术文档
型号
BSS79C
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSS79C
商品类别
无类别的
封装
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, SOT-23, 3 PIN
起订量
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BSS79C详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSS79C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
表面安装
YES
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
终端数量
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
RoHS
Non-Compliant
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
800 mA
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
Package Description
SOT-23, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
20 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Turn-off Time-Max (toff)
325 ns
Risk Rank
5.23
Part Package Code
SOT-23
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e3
无铅代码
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
频率
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
COMMERCIAL
极性
NPN
配置
SINGLE
功率耗散
330 mW
功率 - 最大
350 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
晶体管类型
集电极发射器电压(VCEO)
40 V
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
频率转换
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
75 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
集电极电流-最大值(IC)
0.8 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
技术文档: Infineon BSS79C.
BSS79C拓展信息
公司资质
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