Infineon BSS84P

包装/外壳

1206 (3216 Metric)

表面安装

YES

供应商器件包装

1206

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Stackpole Electronics Inc

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSS84P

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

MOSFET P-Channel 60V 0.17A SOT23 Infineon BSS84P P-channel MOSFET Transistor, 0.17 A, 60 V, 3-Pin SOT-23

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.27

Drain Current-Max (ID)

0.17 A

操作温度

-55°C ~ 155°C

系列

RMEF

尺寸/尺寸

0.120 L x 0.063 W (3.05mm x 1.60mm)

容差

±1%

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±100ppm/°C

电阻

43.2 kOhms

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

组成

厚膜

功率(瓦特)

0.25W, 1/4W

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

失败率

-

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.17 A

漏极-源极导通最大电阻

8 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

反馈上限-最大值 (Crss)

3 pF

特征

Automotive AEC-Q200

座位高度(最大)

0.028 (0.70mm)

评级结果

AEC-Q200