Infineon BSS88E6296

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

NO

供应商器件包装

8-PQFN (5x6)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A (Tc)

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

214W (Tj)

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

BSS88E6296

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Siemens

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

西门子 A G

Risk Rank

5.08

Part Package Code

TO-92

Drain Current-Max (ID)

0.25 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.7mOhm @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5750 pF @ 20 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-92

漏极-源极导通最大电阻

8 Ω

DS 击穿电压-最小值

240 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

12 pF