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技术文档
型号
BSZ023N04LS
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSZ023N04LS
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V
起订量
--最小包装量--
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BSZ023N04LS详情
技术参数
PDF文档
Infineon BSZ023N04LS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
表面安装
YES
越来越多的功能
Normal, Standard - Top
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Memory Types
RAM
Lead Free Status / RoHS Status
Package Description
SMALL OUTLINE, S-PDSO-F3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.81
Drain Current-Max (ID)
22 A
系列
Micro-Edge
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
无
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
ECCN 代码
EAR99
定位的数量
72
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
引脚数量
8
触点表面处理
Tin-Lead
JESD-30代码
S-PDSO-F3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
连接器样式
SIMM
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0032 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
160 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
130 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
标准
MO-116
特征
Board Guide, Latches
触点表面处理厚度
200.0µin (5.08µm)
达到SVHC
compliant
技术文档: Infineon BSZ023N04LS.
BSZ023N04LS拓展信息
公司资质
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