Infineon BSZ042N04NS G

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

TO-220AB

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

SG-8101

厂商

EPSON

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 36µA

Power Dissipation (Max)

2.1W (Ta), 69W (Tc)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A (Tc)

Package Description

GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSZ042N04NSG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.8

Drain Current-Max (ID)

40 A

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SG-8101

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

1.8V ~ 3.3V

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

21.1 MHz

频率稳定性

±15ppm

输出量

CMOS

JESD-30代码

R-PDSO-N5

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

Crystal

最大电流源

6.8mA (Typ)

资历状况

不合格

电流 - 电源（禁用）（最大值）

1.1µA

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

扩频带宽

-

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3700 pF @ 20 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0042 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

69 W

绝对牵引范围 (APR)

-

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.047 (1.20mm)

达到SVHC

compliant

评级结果

-