Infineon BSZ0907NDXTMA2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-WISON-8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.7A (Ta), 8.5A (Ta)

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

BSZ0907NDXTMA2

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.73

Drain Current-Max (ID)

8.5 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

OptiMOS™

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

S-PDSO-N8

配置

SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

排水源头

功率 - 最大

700mW (Ta), 860mW (Ta)

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.5mOhm @ 9A, 10V, 7.2mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

730pF @ 15V, 900pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.4nC @ 4.5V, 7.9nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.013 Ω

信道型

Dual N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 4.5V Drive