Infineon BSZ0908NDXTMA1

包装/外壳

8-PowerVDFN

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-WISON-8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Product Status

活跃

厂商

Infineon Technologies

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.8A (Ta), 7.6A (Ta)

Package

Bulk

Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSZ0908NDXTMA1

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.81

Drain Current-Max (ID)

19 A

系列

OptiMOS®

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMAIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

JESD-30代码

S-PDSO-N8

配置

SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

排水源头

功率 - 最大

700mW (Ta), 860mW (Ta)

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

18mOhm @ 9A, 10V, 9mOhm @ 9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

340pF @ 15V, 730pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.025 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.3 W

场效应管特性

Logic Level Gate, 4.5V Drive

达到SVHC

compliant