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Infineon BSZ100N06LS3GXT

Name: BSZ100N06LS3GXT
Brand: Infineon
SKU: 1211-BSZ100N06LS3GXT
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BSZ100N06LS3GXT

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSZ100N06LS3GXT

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ100N06LS3GXT Infineon Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ100N06LS3GXT详情

技术参数

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Infineon BSZ100N06LS3GXT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

26 Weeks
表面安装

YES
终端数量

5
晶体管元件材料

SILICON
Continuous Drain Current Id

11
Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min

-55 °C
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

BSZ100N06LS3GXT
Package Shape

SQUARE
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank

5.76
Drain Current-Max (ID)

20 A
ECCN 代码

EAR99
附加功能

逻辑电平兼容
端子位置

DUAL
终端形式

无铅
JESD-30代码

S-PDSO-N5
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.0179 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A
DS 击穿电压-最小值

60 V
信道型

N
雪崩能量等级（Eas）

55 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

50 W
达到SVHC

compliant

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