BSZ105N04NSG详情
Infineon BSZ105N04NSG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件包装
PG-TSDSON-8
Package
零售包装
厂商
Glenair
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 35W (Tc)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 14µA
系列
*
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300 pF @ 20 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
40 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
BSZ105N04NSG拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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