BTS100E3045A
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Infineon BTS100E3045A

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型号

BTS100E3045A

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BTS100E3045A

商品类别

无类别的

封装

48-TFSOP (0.240, 6.10mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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BTS100E3045A Infineon Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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BTS100E3045A详情

Infineon BTS100E3045A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    48-TFSOP (0.240, 6.10mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    48-TSSOP

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Frequency-Max

    400MHz

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Part Number

    BTS100E3045A

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Siemens

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    西门子 A G

  • Risk Rank

    5.15

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    8 A

  • 操作温度

    0°C ~ 70°C

  • 系列

    --

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 电压 - 供电

    3.135 V ~ 3.465 V

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 基本部件号

    ICS9DB801

  • 输出量

    HCSL, LVDS

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR

  • 电路数量

    1

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 输入

    HCSL

  • 比率-输入:输出

    1:8

  • 锁相环

  • 差分 - 输入:输出

    Yes/Yes

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.3 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    32 A

  • DS 击穿电压-最小值

    50 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 主要目的

    PCI Express (PCIe)

0个相似型号

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BTS100E3045A拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS