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技术文档
型号
BTS100E3045A
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BTS100E3045A
商品类别
无类别的
封装
48-TFSOP (0.240, 6.10mm Width)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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BTS100E3045A详情
技术参数
PDF文档
Infineon BTS100E3045A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
48-TSSOP
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Frequency-Max
400MHz
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
5.15
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
8 A
操作温度
0°C ~ 70°C
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
电压 - 供电
3.135 V ~ 3.465 V
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
基本部件号
ICS9DB801
输出量
HCSL, LVDS
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
电路数量
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
输入
HCSL
比率-输入:输出
1:8
锁相环
有
差分 - 输入:输出
Yes/Yes
漏极-源极导通最大电阻
0.3 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
32 A
DS 击穿电压-最小值
50 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
主要目的
PCI Express (PCIe)
技术文档: Infineon BTS100E3045A.
BTS100E3045A拓展信息
公司资质
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