Infineon BTS114AE3045A

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-TO220-3-5

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

50W

Product Status

Obsolete

Package Description

TO-220AB, 3 PIN

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

BTS114AE3045A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.28

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

17 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

TEMPFET®

端子表面处理

未说明

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

50 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

68 A

DS 击穿电压-最小值

50 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-