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Infineon BTS115AE3045ANTMA1

Name: BTS115AE3045ANTMA1
Brand: Infineon
SKU: 1211-BTS115AE3045ANTMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BTS115AE3045ANTMA1

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BTS115AE3045ANTMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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BTS115AE3045ANTMA1 Infineon Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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BTS115AE3045ANTMA1详情

技术参数

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Infineon BTS115AE3045ANTMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number

BTS115AE3045ANTMA1
Package Shape

RECTANGULAR
Drain Current-Max (ID)

15.5 A
Risk Rank

5.66
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Life Cycle Code

Obsolete
Number of Elements

1
Manufacturer

Infineon Technologies AG
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
JESD-30代码

R-PSFM-T3
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻

0.12 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

62 A
DS 击穿电压-最小值

50 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC

unknown

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