注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
BTS120
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BTS120
商品类别
无类别的
封装
0402 (1005 Metric)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
19 A, 100 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
BTS120详情
技术参数
PDF文档
Infineon BTS120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
Surface Mount, MLCC
包装/外壳
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
VJ0402
厂商
Vishay Vitramon
Product Status
活跃
Voltage Rated
50V
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
120 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Turn-off Time-Max (toff)
330 ns
Risk Rank
5.36
Drain Current-Max (ID)
19 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
VJ HIFREQ
尺寸/尺寸
0.040 L x 0.020 W (1.02mm x 0.51mm)
容差
±2%
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
温度系数
C0G, NP0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
RF, Microwave, High Frequency
电容量
30 pF
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
引线间距
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
操作模式
增强型MOSFET
引线样式
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
76 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
240 pF
环境耗散-最大值
75 W
特征
High Q, Low Loss
座位高度(最大)
厚度(最大)
0.024 (0.61mm)
评级结果
技术文档: Infineon BTS120.
BTS120拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)