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Infineon BTS131E3045ANTMA1

Name: BTS131E3045ANTMA1
Brand: Infineon
SKU: 1211-BTS131E3045ANTMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BTS131E3045ANTMA1

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BTS131E3045ANTMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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BTS131E3045ANTMA1 Infineon Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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BTS131E3045ANTMA1详情

技术参数

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Infineon BTS131E3045ANTMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

D2PAK
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V
厂商

Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)

75W
Product Status

Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

TEMPFET®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

60mOhm @ 12A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400 pF @ 25 V
漏源电压 (Vdss)

50 V
Vgs（最大值）

±10V
场效应管特性

-

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