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技术文档
型号
BUP311D
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BUP311D
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IGBT With Antiparallel Diode Preliminary data sheet
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BUP311D详情
技术参数
PDF文档
Infineon BUP311D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
KEMET
Product Status
活跃
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
105 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
460 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.82
系列
*
JESD-609代码
e3
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
最小工作温度
-55 °C
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2 kV
最大集电极电流
20 A
JEDEC-95代码
TO-218AB
最大耗散功率(Abs)
125 W
集电极电流-最大值(IC)
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5 V
技术文档: Infineon BUP311D.
BUP311D拓展信息
公司资质
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