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技术文档
型号
BUZ100SL-4
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BUZ100SL-4
商品类别
无类别的
封装
0805 (2012 Metric)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BUZ100SL-4 datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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BUZ100SL-4详情
技术参数
PDF文档
Infineon BUZ100SL-4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
安装类型
Surface Mount, MLCC
表面安装
YES
终端数量
28
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rated
-
Product Status
Obsolete
厂商
Vishay Vitramon
Package
Bulk
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G28
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
5.28
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
7.4 A
系列
VJ
操作温度
-25°C ~ 85°C
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
容差
-20%, +80%
ECCN 代码
EAR99
温度系数
Y5V (F)
应用
通用型
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
电容量
0.033 µF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
不合格
失败率
引线间距
配置
SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
引线样式
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.023 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
29.6 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
380 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
座位高度(最大)
厚度(最大)
达到SVHC
unknown
评级结果
技术文档: Infineon BUZ100SL-4.
BUZ100SL-4拓展信息
公司资质
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