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Infineon BUZ101S

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型号

BUZ101S

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BUZ101S

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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BUZ101S Infineon Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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BUZ101S详情

技术参数

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Infineon BUZ101S重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bag

  • Base Product Number

    DL60R20

  • 厂商

    TE Connectivity Deutsch 连接器

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Part Number

    BUZ101S

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Siemens

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    西门子 A G

  • Risk Rank

    5.31

  • Part Package Code

    SFM

  • Drain Current-Max (ID)

    23 A

  • 系列

    *

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.06 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    55 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

技术文档: Infineon BUZ101S.

BUZ101S拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS