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技术文档
型号
BUZ101S
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BUZ101S
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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BUZ101S详情
技术参数
PDF文档
Infineon BUZ101S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bag
Base Product Number
DL60R20
厂商
TE Connectivity Deutsch 连接器
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
5.31
Part Package Code
SFM
Drain Current-Max (ID)
23 A
系列
*
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.06 Ω
DS 击穿电压-最小值
55 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
技术文档: Infineon BUZ101S.
BUZ101S拓展信息
公司资质
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