Infineon BUZ102SE3045A

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

16 V

Voltage Rating (DC)

16 V

RoHS

Compliant

Package Description

PLASTIC, TO-263, 3 PIN

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BUZ102SE3045A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.72

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

52 A

包装

Tape & Reel (TR)

容差

10 %

JESD-609代码

e0

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

电容量

47 µF

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

箱码（公制）

7343

箱码（英制）

2917

ESR（等效串联电阻）

800 mΩ

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

泄漏电流

7.5 µA

操作模式

增强型MOSFET

耗散因数

6 %

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

52 A

漏极-源极导通最大电阻

0.018 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

208 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

245 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

120 W

特征

通用型

宽度

4.3 mm

高度

3.1 mm

长度

7.2898 mm

座位高度(最大)

3.0988 mm

无铅

无铅