您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 未分类 无类别的 BUZ102SL
BUZ102SL
BUZ102SL

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Infineon BUZ102SL

  • 收藏
  • 对比

型号

BUZ102SL

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BUZ102SL

商品类别

无类别的

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
BUZ102SL
BUZ102SL Infineon Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BUZ102SL详情

技术参数

PDF文档

Infineon BUZ102SL重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    TO-220AB

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    47A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Power Dissipation (Max)

    120W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    PLASTIC, TO-220, 3 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

    无

  • Manufacturer Part Number

    BUZ102SL

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.29

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    47 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    SIPMOS®

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    无

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    18mOhm @ 33A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    2V @ 90µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1730 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    90 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    55 V

  • Vgs（最大值）

    ±14V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.024 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    188 A

  • DS 击穿电压-最小值

    55 V

  • 雪崩能量等级（Eas）

    245 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

技术文档: Infineon BUZ102SL.

BUZ102SL拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS