Infineon BUZ103S-4

安装类型

Stud Mount

包装/外壳

DO-203AB, DO-5, Stud

表面安装

YES

供应商器件包装

DO-5

终端数量

28

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Impedance (Max) (Zzt)

15 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G28

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

BUZ103S-4

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Siemens

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

西门子 A G

Risk Rank

5.27

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

5.3 A

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/358

容差

±5%

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

28

JESD-30代码

R-PDSO-G28

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 69.2 V

操作模式

增强型MOSFET

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5 V @ 10 A

功率 - 最大

50 W

极性/通道类型

N-CHANNEL

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

91 V

漏极-源极导通最大电阻

0.045 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

21.2 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

140 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR