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技术文档
型号
BUZ21L
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BUZ21L
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TO-220, MOLDED, 3 LEAD, JEDEC VARIATION AB - BUZ21L
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BUZ21L详情
技术参数
PDF文档
Infineon BUZ21L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
210 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Turn-off Time-Max (toff)
400 ns
Risk Rank
8.05
Part Package Code
SFM
Drain Current-Max (ID)
21 A
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
颜色
Yellow
性别
Male
附加功能
逻辑电平兼容
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
弱电
Compliant
导线/电缆种类
光纤
电缆长度
2 m
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
导线/电缆直径
3 mm
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.085 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
84 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
100 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
75 W
插入损耗(dB)
0.4 dB
模式
Singlemode
导线/电缆颜色
回报损失
55 dB
反馈上限-最大值 (Crss)
260 pF
环境耗散-最大值
长度
无铅
不适用
技术文档: Infineon BUZ21L.
BUZ21L拓展信息
公司资质
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