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技术文档
型号
BUZ272
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BUZ272
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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BUZ272详情
技术参数
PDF文档
Infineon BUZ272重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
225 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Turn-off Time-Max (toff)
330 ns
Risk Rank
7.78
Part Package Code
SFM
Drain Current-Max (ID)
15 A
包装
Tape & Reel (TR)
容差
5 %
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
100 ppm/°C
电阻
430 mΩ
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
厚膜
额定功率
1 W
最大功率耗散
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.3 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
290 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
180 pF
环境耗散-最大值
40 W
特征
Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
宽度
3.2004 mm
高度
711.2 µm
长度
1.6002 mm
技术文档: Infineon BUZ272.
BUZ272拓展信息
公司资质
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