Infineon BUZ30AH3045A

包装/外壳

TO-263-3

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-TO263-3-2

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

21

Id - Continuous Drain Current

21 A

Typical Turn-Off Delay Time

250 ns

RoHS

Details

Rds On - Drain-Source Resistance

100 mOhms

Tradename

SIPMOS

Qg - Gate Charge

-

Brand

Infineon Technologies

Manufacturer

Infineon

Part # Aliases

SP000736082 BUZ3AH345AXT BUZ30AH3045AATMA1

Channel Mode

Enhancement

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Unit Weight

0.139332 oz

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Transistor Polarity

N-Channel

Pd - Power Dissipation

125 W

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.1 V

Typical Turn-On Delay Time

30 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200 V

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUZ30AH3045A

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.62

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

21 A

包装

MouseReel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

SIPMOS®

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

130mOhm @ 13.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900 pF @ 25 V

上升时间

70 ns

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21 A

漏极-源极导通最大电阻

0.13 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

84 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

长度

10 mm

高度

15.65 mm

宽度

4.4 mm

达到SVHC

compliant