Infineon BUZ32H3045A

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-TO263-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

75W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUZ32H3045A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.29

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

9.5 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

SIPMOS®

无铅代码

有

端子表面处理

未说明

附加功能

雪崩 额定

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

400mOhm @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AA

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

38 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-