BUZ342
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Infineon BUZ342

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型号

BUZ342

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BUZ342

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA

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BUZ342 Infineon Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 50V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA

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BUZ342详情

Infineon BUZ342重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Free Hanging (In-Line)

  • 表面安装

    NO

  • 越来越多的功能

    --

  • 介电材料

    Polyoxymethylene (POM) Acetal

  • 本体材质

    Brass

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 中心接触电镀

    Gold

  • 中心触点材料

    Brass

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Voltage, Rating

    500V

  • Frequency-Max

    1GHz

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUZ342

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.8

  • Drain Current-Max (ID)

    60 A

  • 操作温度

    --

  • 系列

    --

  • 包装

    Bulk

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    --

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 连接器类型

    Plug, Male Pin

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 紧固类型

    Threaded

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 入口保护

    Weatherproof

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 房屋颜色

    Silver

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 阻抗

    75 Ohm

  • 连接器样式

    TNC

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 配套周期

    500

  • 触点终端

    Crimp

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 包括

    3 pcs - 1 Connector, 1 Contact, 1 Ferrule

  • JEDEC-95代码

    TO-218AA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    60 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.01 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    240 A

  • DS 击穿电压-最小值

    50 V

  • 插入损耗

    0.18dB

  • 雪崩能量等级(Eas)

    460 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 本体饰面

    Nickel

  • 最大耗散功率(Abs)

    400 W

  • 电缆组件

    RG-6 Plenum, Belden 1695A

  • 屏蔽终止

    Crimp

  • 特征

    --

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技术文档: Infineon BUZ342.

BUZ342拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS