Infineon BUZ73A E3046

包装/外壳

Axial

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

--

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

40W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

TO-220AB, 3 PIN

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUZ73A-E3046

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.25

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

5.5 A

操作温度

-55°C ~ 155°C

系列

MBB/SMA 0207 - Professional

包装

Tape & Box (TB)

尺寸/尺寸

0.098 Dia x 0.256 L (2.50mm x 6.50mm)

容差

±0.5%

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±50ppm/°C

电阻

37 kOhms

端子表面处理

哑光锡

组成

Thin Film

功率(瓦特)

0.6W

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

失败率

--

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600mOhm @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.6 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

40 W

场效应管特性

-

特征

--

座位高度(最大)

--