BUZ73ALH详情
Infineon BUZ73ALH重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer
Eurotherm
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
100 ns
Package Description
GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUZ73ALH
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.25
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
5.5 A
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
子类别
FET 通用电源
最大功率耗散
40 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
40 W
接通延迟时间
15 ns
无卤素
无卤素
上升时间
60 ns
漏源电压 (Vdss)
200 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
5.5 A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
0.6 Ω
漏源击穿电压
200 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
22 A
输入电容
840 pF
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
120 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
40 W
漏源电阻
600 mΩ
最大rds
600 mΩ
辐射硬化
无
达到SVHC
compliant
BUZ73ALH拓展信息
Infineon Technologies
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