Infineon BUZ73H

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

55 ns

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUZ73H

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.25

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

7 A

无铅代码

有

端子表面处理

未说明

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

40 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40 W

接通延迟时间

10 ns

无卤素

无卤素

上升时间

40 ns

漏源电压 (Vdss)

200 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

7 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

漏源击穿电压

200 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28 A

输入电容

530 pF

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

400 mΩ

最大rds

400 mΩ

宽度

4.57 mm

高度

9.45 mm

长度

10.36 mm

辐射硬化

无

达到SVHC

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