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技术文档
型号
BUZ81
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BUZ81
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
起订量
--最小包装量--
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BUZ81详情
技术参数
PDF文档
Infineon BUZ81重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
110 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Turn-off Time-Max (toff)
355 ns
Risk Rank
5.13
Part Package Code
SFM
Drain Current-Max (ID)
4 A
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
2.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
16 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
410 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
75 pF
环境耗散-最大值
125 W
技术文档: Infineon BUZ81.
BUZ81拓展信息
公司资质
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