BUZ93-E3046
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Infineon BUZ93-E3046

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型号

BUZ93-E3046

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BUZ93-E3046

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IN-LINE, R-PSIP-T3

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1最小包装量--

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BUZ93-E3046
BUZ93-E3046 Infineon IN-LINE, R-PSIP-T3

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BUZ93-E3046详情

Infineon BUZ93-E3046重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage, Rating

    150 V

  • Package Description

    IN-LINE, R-PSIP-T3

  • Package Style

    IN-LINE

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Part Number

    BUZ93-E3046

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.32

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    3.6 A

  • 容差

    1 %

  • 温度系数

    100 ppm/°C

  • 电阻

    412 kΩ

  • 最高工作温度

    155 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 组成

    Thin Film

  • 额定功率

    250 mW

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    2.5 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    14.5 A

  • DS 击穿电压-最小值

    600 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    220 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 高度

    650 µm

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BUZ93-E3046拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS